Joy S. Lee

100

201720182019202020212022202320245 34 47 58 91 64 80 29

Jiyoung KimProfessor of Materials Science and Engineering, University of Texas at DallasПотвърден имейл адрес: utdallas.edu
Harrison Sejoon KimIntel ATTDПотвърден имейл адрес: intel.com
Lanxia ChengStaff Engineer_EMD ElectronicsПотвърден имейл адрес: emdgroup.com
Xin MengPhD, Electrical Engineering, The University of Texas at DallasПотвърден имейл адрес: utdallas.edu

Joy S. Lee

Materials Science and Engineering Ph.D. Candidate, University of Texas at Dallas

Потвърден имейл адрес: utdallas.edu


Заглавие Сортиране по цитати Сортиране по година Сортиране по заглавие	Позовавания Позовавания	Година
Large ferroelectric polarization of TiN/Hf0. 5Zr0. 5O2/TiN capacitors due to stress-induced crystallization at low thermal budget SJ Kim, D Narayan, JG Lee, J Mohan, JS Lee, J Lee, HS Kim, YC Byun, ... Applied Physics Letters 111 (24), 2017	267	2017
Atomic layer deposition of silicon nitride thin films: a review of recent progress, challenges, and outlooks X Meng, YC Byun, HS Kim, JS Lee, AT Lucero, L Cheng, J Kim Materials 9 (12), 1007, 2016	130	2016
Low temperature (400° C) ferroelectric Hf0. 5Zr0. 5O2 capacitors for next-generation FRAM applications SJ Kim, D Narayan, JG Lee, J Mohan, JS Lee, J Lee, CD Young, J Kim, ... 2017 IEEE International Memory Workshop (IMW), 1-4, 2017	13	2017
Inversion behavior of ALD HfZrO2/InGaAs MOS capacitors with in-situ DEZ-H2O treatment JG Lee, YC Byun, D Narayan, AT Lucero, J Kim

Системата не може да изпълни операцията сега. Опитайте отново по-късно.

Статии 1–4

Позовавания годишно